超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000
專門為電子束敏感樣品和需*大300萬倍穩(wěn)定觀察的先進半導體器件，高分辨成像所設計。
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特點：
· 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
· 用改良的高真空性能和無 與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
· 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。